Оперативная память Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 3200, 1.2V

Характеристики

Дополнительные характеристики

Компоновка чипов на модуле

Двусторонняя

Напряжение В

1.2

Сайт производителя

Сайт производителя

Сервисный центр производителя

Сервисный центр производителя

Цвет

Зеленый

Чип

1Gb x 8-bit

Основные характеристики

Количество контактов

260

Количество модулей в комплекте шт

1

Количество чипов на модуле

8

Модель

M471A1K43EB1-CWE

Общий объем памяти ГБ

8

Объем одного модуля ГБ

8

Производитель

Samsung

Пропускная способность МБ/с

25600

Тип модуля

SO-DIMM

Тип оборудования

Оперативная память

Частота MHz

DDR4 - 3200

Тайминги

CAS Latency CL

22

RAS to CAS Delay tRCD

22

Row Precharge Delay tRP

22

Тайминги

22-22-22

Информация о технических характеристиках, описании, комплекте поставки и внешнем виде носит ознакомительный характер, не является публичной офертой, определяемой положениями статьи 437 ГК РФ и может быть изменена производителем без предварительного уведомления. Информацию о товаре уточняйте у наших менеджеров.

Оперативная память Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 3200, 1.2V купить в интернет-магазине TPShop.Ru. Наличный и безналичный расчет, розничные и оптовые продажи. Самовывоз, доставка по Москве и МО, отправка во все регионы России.